年11月23-25日，第十七届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）暨国际第三代半导体论坛（IFWS）开幕大会在深圳会展中心成功召开。

本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）与第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，南方科技大学微电子学院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。论坛得到了国家科学技术部高新技术司、国家科学技术部国际合作司、国家工业和信息化部原材料工业司、国家节能中心、国家新材料产业发展专家咨询委员会、深圳市科技创新委员会的大力支持。并得到了深圳市龙华区科技创新局的特别支持。

滨田公守（KimimoriHAMADA）

日本丰田汽车公司功率半导体顾问、

PDPlusLLC总裁、ISPSD大会主席

在开幕大会上，日本丰田汽车公司功率半导体顾问、PDPlusLLC总裁、ISPSD大会主席滨田公守做了题为《汽车电气化的最新趋势及其对第三代半导体行业的影响》的主题报告。分享了汽车的电气化趋势，阐述了IGBT当前的应用状态，以及相关封装技术、模组等内容。

他表示，年电动汽车的比例仅为3%，到年，预计将达到50%。在接下来的二十年里，电动汽车的份额将迅速增加。

即使只看未来五年，电动汽车市场也会大幅增加。电动汽车的预期市场来看，BEV是适合碳化硅器件的市场，PHEV和FullHEV是适合硅IGBT的市场。MildHEV是适合硅MOSFET的市场。市场预期对于碳化硅器件和硅IGBT的大量需求将与硅MOSFET相当。

电池费用与EV行驶里程的关系来看，电池费用预计会逐年下降。年，行驶km的电池费用预计约为美元，如果电池效率能提升3%，电池费用将下降美元。这笔费用和使用碳化硅器件所增加的费用相等。

所以，通过使用碳化硅器件来提升电池效率，可以使电池费用下降3%或更多，使用碳化硅器件增加的成本可以被补偿。

IGBT是目前功率器件的主流，但它有一些缺点，碳化硅器件将逐渐被用于更适合使用碳化硅的场合。除了需要降低成本，碳化硅器件也遇到了其他挑战：可靠性以及电路支持。在克服了这些弱点之后，碳化硅器件将被应用在在IGBT不能胜任的场合，其市场份额将逐渐增加。

对于碳化硅MOSFET，有很多问题仍需要解决，之后才能在实际应用场合中成功使用。需要将高成本降低，也需要器件具备高可靠性。通过研制小尺寸的沟槽型MOSFET，成本能得以降低，为了实现这一目的，需要设计成熟、合理的沟槽栅保护结构。抑制堆垛层错引起的退化也是未来大规模生产的一个重要课题。

到年，氮化镓功率器件的市场规模预计将达到6.5亿美元，但是汽车相关产品预计只会占到6%。很多公司都在